北京大学两项成果荣获2018年国家技术发明奖

2019-11-10 11:21栏目:电工电气
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应用牵引引领产业集聚发展

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多家企业单位联手组建

附获奖项目简介:

电工电气网】讯

“氮化物半导体大失配异质外延技术”

从全球范围来看,提升开关频率、降低开关损耗、提高功率密度、减小体积重量已成为现代电子电子技术发展方向,宽禁带半导体器件将掀起高频电能变换领域新一轮产业技术革命。

主要完成人:梅宏、黄罡、张颖、刘譞哲、郭耀、熊英飞

牵头组建该中心的易事特集团董事长何思模透露,创新中心将突破传统企业和研究机构相对独立的框架,将创新链、产业链、资金链进行有机整合,创新政产学研用联合机制,系统理论与技术创新,产业集群发展,打造电力电子技术高地、培养研发及产业技术人才,传播新技术,将创新中心建设成为广东省高水平的宽禁带半导体器件应用技术创新研发平台,进而发展成为国际一流电力电子技术研究开发中心。

2019年1月8日,国家科学技术奖励大会在人民大会堂举行。北京大学作为第一完成单位的两项成果荣获国家技术发明奖,其中“云-端融合的资源反射机制及高效互操作技术”荣获一等奖,“氮化物半导体大失配异质外延技术”荣获二等奖。

目前,以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体材料出现,推动半导体领域新技术竞争加剧,欧美日等国家正全力抢占从材料、器件、应用技术的战略制高点,以期掌握新一代宽禁带半导体领域话语权。

完成单位:北京大学、东莞中图半导体科技有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司

广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”由易事特集团股份有限公司牵头联合东莞市天域半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、华南理工大学,北京大学光电研究院、广东省半导体产业技术研究院组建。

项目简介:氮化物宽禁带半导体是实现短波长发光器件和高频大功率电子器件的核心半导体体系,在半导体照明、新一代移动通讯、国防军工等领域有重大应用,是全球高技术竞争和战略性新兴产业发展的关键领域。氮化物半导体外延制备是器件和系统的基础和核心技术。该研究在863、973、基金委等国家和地方科技计划的持续支持下,围绕氮化物半导体大失配异质外延的缺陷和应力控制这一重大问题开展了系统研究,发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法,制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料,建立了较为完善的氮化物半导体大失配异质外延技术体系,并实现了产业化应用。该成果得到国际同行的高度评价,包括诺贝尔奖获得者在内的多位该领域国际知名学者对该项目成果给予了引用或评价。经中国电子学会鉴定,认为“该项目成果技术创新特色突出,关键技术达到国际领先水平”,有力推动了我国氮化物宽禁带半导体技术和产业的发展。该成果由北京大学牵头,联合与北京大学长期合作的东莞市中图半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司共同获得。北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授、甘子钊院士、许福军副教授等也对该项成果作出重要贡献。北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室对该项成果给予了长期的大力支持和资助。

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